Ushios hochleistungsfähige F+E in Japan kurbelt Geschäft mit Ausrüstung für EUV-Masken-Inspektion an
Wie Ushio INC. (Hauptsitz: Tokio, Präsident und Chief Executive Officer: Koji Naito) heute bekanntgab, hat das Unternehmen die erste Abnahmeprüfung der EUV-Lichtquelle für die Inspektion von Masken*1 im Rahmen eines EUV-Lithographie-Serienprozesses (hier „EUV-Lichtquelle“ genannt) im Juli 2019 mit Erfolg absolviert.
Die EUV-Lithographie ist für den Herstellungsprozess hochintegrierter Next-Generation-Halbleitergeräte unverzichtbar. Viele namhafte Hersteller prüfen deshalb gerade praktische Anwendungsmöglichkeiten der Technologie. Gleichzeitig muss für die Umsetzung von Technologien zur Massenproduktion in der EUV-Lithographie die Masken-Inspektion mit der EUV-Lichtquelle zur Feststellung von Defekten auf Hochpräzisionsmasken eingeführt werden.
Die F+E von Ushio hat eine ultrahelle EUV-Lichtquelle mit optimierter Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit entwickelt, indem das Unternehmen Forschungs- und Bewertungsdienstleistungen zur Verfügung gestellt hat. Dafür wurde seit März 2017 Ushios ultrahelle, laserunterstützte Entladungsplasma-EUP-Lichtquelle*2 (Sn LDP) in der EUV-Belichtungs- und Analyse-Einrichtung (EBL2) der niederländischen Organisation für angewandte wissenschaftliche Forschung (TNO) verwendet.
Zusätzlich zu der Beteiligung am TNO-Projekt gelang die Abnahme dank den hochleistungsfähigen, zuvor an einen Lieferanten von Inspektionsausrüstungen gelieferten EUV-Lichtquellen, die für die Entwicklung von Inspektionsgeräten eingesetzt werden. Die ultrahelle EUV-Lichtquelle ermöglicht die aktinische Maskeninspektion für die EUV-Lithographie, wie sie für die Serienfertigung von Next-Generation-Halbleitern erforderlich ist.
„Wir stellen eine vollständige Palette hochwertiger Lösungen her. Insbesondere EUV-Lichtquellen gehören zu unseren Kernkompetenzen. Die praktische Anwendung der EUV-Lithographie bietet eine bereits seit langem herbeigesehnte Lösung für die Nutzung der Vorteile von Technologien der neuesten Generation wie z. B. ein neues Kommunikationsprotokoll und verschiedenste Anwendungen für Kommunikationstechnologien.
Als Lichtspezialist tragen wir mit der Abnahme der EUV-Lichtquelle für Inspektionsausrüstungen in Serienherstellprozessen gerne zur Realisierung der erwarteten gesellschaftlichen Infrastruktur bei. Wir werden alles daransetzen, eine stabile Lieferkette für unsere Produkte sicherzustellen und unsere soziale Verantwortung für die Zukunft wahrzunehmen.“
– Nobuhiro Inosako, Leiter EUV, Ushio INC.
Ushio wird auch weiterhin EUV-Lichtquellentechnologien für die Inspektion von Hochpräzisionsmasken entwickeln und zum Erfolg der modernsten Herstellprozesse in der Halbleitertechnik beitragen.
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*1 EUV-Lichtquelle für Maskeninspektionsausrüstungen
EUV (Extremultraviolett) verwendet einen reflektierenden Spiegel anstelle einer Linse als Optik, da EUV kaum durch ein Material hindurchdringt. Masken-Rohlinge für reflektierende Optiken verfügen über eine Mo/Si-Mehrschichtstruktur. Im Fall eines Fehlers ist das Muster deformiert. Daher ist eine Inspektion zur Überprüfung, ob ein Fehler vorliegt, für den Serienherstellprozess notwendig. Die Inspektion von EUV-Masken lässt sich grob in die folgenden drei Arten unterteilen:
1-1. Aktinische Inspektion von Maskenrohlingen (Actinic Blank Inspection, ABI)
Die Inspektion nutzt eine EUV-Lichtquelle und wird zur Qualitätskontrolle von EUV-Maskenrohlingen eingesetzt. Ein EUV-Maskenrohling wird aus einer Mo/Si-Mehrschichtfolie gefertigt. Eine aktinische (EUV-Licht) Inspektion ist erforderlich, um Phasendefekte in einem Grundsubstrat mit geringer Ausdehnung und einer Multischichtfolie festzustellen.
1-2. Aktinische Musterinspektion (Actinic Pattern Inspection, API)
Die Inspektion nutzt eine EUV-Lichtquelle und wird zur Qualitätsprüfung von EUV-Muster-Masken eingesetzt. Eine aktinische Inspektion ist erforderlich, um Mo/Si-Phasendefekte festzustellen, zusätzlich zu Fehlern in der Absorberstruktur auf der Oberfläche. Diese Art von Inspektion kann auch für Masken durchgeführt werden, auf denen ein Pellicle angebracht ist.
1-3. Systeme für die Luftbildmessung
Das System simuliert die Belichtung und bestimmt die Verschlechterung optischer Kontraste von während der aktinischen Musterinspektion festgestellten Defekten. Es untersucht auch nach der Behebung des Defekts den optischen Kontrast, um dessen Eignung sicherzustellen.
*2 Lichtquelle mit laserunterstütztem Entladungsplasma (SN LDP)
Diese Methode gewinnt EUV-Licht zurück durch die Verdampfung des Zinns auf der Elektrode mittels eines Lasertriggers und die Anregung des verdampften Zinns mit dem Entladungsplasma. Der Vorgang ermöglicht eine höhere Intensität und platzsparendere Lösungen im Vergleich zur LPP/Sn-Methode, bei der EUV-Licht durch die Anregung des Zinns erzeugt wird, das Plasma mittels Laser erzeugt, oder die DPP-Methode, die EUV-Licht erzeugt, indem Xenon mit dem Entladeplasma angeregt wird.
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